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SI7842DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-13 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7842DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.3 A
最大漏极电流 (ID)：6.3 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7842DP-T1-GE3 数据手册

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Si7842DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
LITTLE FOOT® Plus Schottky  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
10  
0.022 at VGS = 10 V  
0.030 at VGS = 4.5 V  
•
•
30  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
8.5  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
• 100 % Rg Tested  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
IF (A)  
•
Bus and Logic DC-DC  
30  
0.50 V at 1.0 A  
3.0  
PowerPAK SO-8  
D
2
S1  
D
1
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
Schottky Diode  
D1  
G
1
G
8
2
D1  
7
D2  
6
D2  
5
S
2
S
1
Bottom View  
Ordering Information: Si7842DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Si7842DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
10 s  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
VDS  
30  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
10  
6.3  
5.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
6.0  
A
IDM  
IS  
30  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2.9  
3.5  
2.2  
1.1  
1.4  
0.9  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
MOSFET  
Schottky  
Typical Maximum  
Parameter  
Typical  
Maximum  
Symbol  
Unit  
26  
60  
35  
85  
26  
60  
35  
85  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
°C/W  
RthJC  
3.9  
5.5  
3.9  
5.5  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71617  
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7842DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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