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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | POWERPAK, SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.33 | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7842DP | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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| SI7842DP-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 6.3 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener |
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| SI7842DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| SI7842DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
|
| SI7844DP | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7844DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| SI7844DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| SI7846DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI7846DP-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 150 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General |
|
| SI7846DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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