SI7840DP

更新时间： 2024-09-12 22:33:55

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7840DP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.9 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7840DP 数据手册

Si7840DP

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New Low Thermal Resistance PowerPAKt

Package with Low 1.07-mm Profile

0.0095 @ V = 10 V

0.014 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

D DC/DC Converters

D Optimized for “High-Side” Synchronous

Rectifier Operation

PowerPAKt SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Avalanche Current

4.1

1.6

L = 0.1 mH

Avalanche Energy

= 25_C

= 70_C

5.0

3.2

1.9

1.2

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

2.1

2.6

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71624

S-05804—Rev. C, 25-Feb-02

www.vishay.com

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