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Datasheet > SI7840BDP-T1-GE3
SI7840BDP-T1-GE3 PDF预览

SI7840BDP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-13 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 303K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERPAK, SOP-8

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SI7840BDP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERPAK, SOP-8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：4.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7840BDP-T1-GE3 数据手册

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Si7840BDP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
16.5  
13  
Qg (Typ.)  
TrenchFET® Power MOSFET  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
0.0085 at VGS = 10 V  
0.0105 at VGS = 4.5 V  
•
•
30  
14  
•
100 % Rg Tested  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Converters  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
•
Optimized for “High-Side” Synchronous Rectifier  
Operations  
1
S
2
S
3
G
4
D
D
8
D
7
D
6
D
5
G
Bottom View  
S
Ordering Information:  
Si7840BDP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7840BDP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
50  
V
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
16.5  
13  
11  
8
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)a  
ID  
IDM  
IS  
IAS  
EAS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
A
3.7  
1.6  
20  
20  
L = 0.1 mH  
Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.1  
2.6  
1.8  
1.1  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
23  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
30  
70  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
60  
°C/W  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
3.1  
3.6  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
d. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73218  
S09-0272-Rev. C, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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