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SI4908DY-T1-E3

更新时间： 2024-09-18 20:06:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 107K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4908DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.75 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI4908DY-T1-E3 数据手册

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Si4908DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
5.0  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.060 at VGS = 10 V  
0.070 at VGS = 4.5 V  
•
•
40  
5.6  
4.7  
APPLICATIONS  
• CCFL Inverter  
D
1
D
2
SO-8  
S
G
S
D
1
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
D
1
D
2
G
G
2
1
G
D
2
Top View  
S
S
2
1
Ordering Information: Si4908DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4908DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
V
VGS  
16  
T
C = 25 °C  
5
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
4.1b, c  
3.3b, c  
20  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
IDM  
IS  
A
T
C = 25 °C  
2.3  
1.5b, c  
20  
TA = 25 °C  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
ISM  
IAS  
EAS  
7
L = 0.1 mH  
2.5  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.75  
1.75  
1.85b, c  
1.18b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typ.  
57  
Max.  
67.5  
45  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady-State  
°C/W  
RthJF  
35  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 120 °C/W.  
Document Number: 73698  
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4908DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
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