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SI4910DY-T1-E3 PDF预览

SI4910DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-08 19:34:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 107K
描述
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4910DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：5 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4910DY-T1-E3 数据手册

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Si4910DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
6.0  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
0.027 at VGS = 10 V  
0.032 at VGS = 4.5 V  
•
•
40  
9.6  
4.8  
APPLICATIONS  
• CCFL Inverter  
D
1
D
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
G
2
1
G
Top View  
S
S
2
1
Ordering Information: Si4910DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4910DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
V
VGS  
16  
T
C = 25 °C  
7.6  
6.0  
6.0b, c  
4.8b, c  
20  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
IDM  
IS  
A
T
C = 25 °C  
2.6  
1.6b, c  
20  
TA = 25 °C  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
ISM  
IAS  
EAS  
10  
5
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.1  
2
2b, c  
1.28b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typ.  
49  
Max.  
62.5  
40  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady-State  
°C/W  
30  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 120 °C/W.  
Document Number: 73699  
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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