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SI4896DY-T1-GE3 PDF预览

SI4896DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-18 21:15:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 244K
描述
TRANSISTOR 6700 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4896DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.79配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.7 A
最大漏极电流 (ID)：6.7 A最大漏源导通电阻：0.0165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4896DY-T1-GE3 数据手册

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Si4896DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
9.5  
Definition  
0.0165 at VGS = 10 V  
0.022 at VGS = 6.0 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
80  
8.3  
D
SO-8  
S
S
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4896DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4896DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
80  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
9.5  
7.6  
6.7  
5.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
IDM  
IAS  
IS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
50  
40  
A
L = 0.1 mH  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2.8  
3.1  
2.0  
1.4  
1.56  
1.0  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
40  
80  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
65  
°C/W  
RthJF  
17  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71300  
S09-0870-Rev. C, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
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SI4896DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4896DY-T1-E3 VISHAY

完全替代

 TRANSISTOR 6700 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4896DY-T1 VISHAY

功能相似

 N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI48D15-1000 WALL

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 		Analog Circuit, Hybrid,
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获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4900DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4900DY-T1-GE3 VISHAY

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