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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0165 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4896DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 6700 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET |
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| SI4896DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 6700 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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| SI48D15-1000 | WALL |
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Analog Circuit, Hybrid, |
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| SI48S12-2500 | WALL |
获取价格 |
Analog Circuit, Hybrid, |
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| SI48S15-2000 | WALL |
获取价格 |
Analog Circuit, Hybrid, |
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| SI4900DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI4900DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI4900DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI4904DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 40-V MOSFET |
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| SI4904DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 40-V MOSFET |
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