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SI4900DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-08 20:00:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	171K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4900DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.9
Samacsys Description：	SI4900DY-T1-E3, Dual N-channel MOSFET Transistor 4.3 A 60 V, 8-Pin SOIC	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	5.3 A
最大漏源导通电阻：	0.058 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4900DY-T1-E3 数据手册

Si4900DY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

5.3

Available

• TrenchFET^®Power MOSFET

0.058 at V_GS= 10 V

0.072 at V_GS= 4.5 V

13 nC

4.7

APPLICATIONS

•

LCD TV CCFL Inverter

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4900DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si4900DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

5.3

4.3

_C= 70 °C

_A= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

4.3^{b, c}

3.4^{b, c}

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current (10 µs Width)

T_C= 25 °C

2.6

Continuous Source-Drain Diode Current

1.7^{b, c}

T_A= 25 °C

I_AS

Avalanche Current

L = 0 1 mH

T_C= 25 °C

E_AS

Single-Pulse Avalanche Energy

6.1

3.1

_C= 70 °C

_A= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

2^{b, c}

1.3^{b, c}

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{a, d}

Symbol

Typical

Maximum

62.5

Unit

R_thJA

°C/W

R_thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.

Document Number: 73272

S09-0540-Rev. E, 06-Apr-09

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4900DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4904DY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V MOSFET
SI4904DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V MOSFET
SI4904DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V MOSFET
SI4906DY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4906DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4906DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
SI4908DY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4908DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4908DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

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