SI4884DY

更新时间： 2024-09-17 22:43:15

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	95K
描述
Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

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SI4884DY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.5 A
最大漏极电流 (ID)：	11.5 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4884DY 数据手册

January 2001

Si4884DY

Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench^âMOSFET

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers.

11.5 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.010 W @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.015 W @ V_GS= 4.5 V.

Optimized for use in switching DC/DC converters with

PWM controllers.

The MOSFET features faster switching and lower gate

charge than other MOSFETs with comparable R_DS(ON)

specifications.

Very fast switching.

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even

at very high frequencies), and DC/DC power supply designs

with higher overall efficiency.

Low gate charge (typical Qg = 19 nC).

SuperSOT^TM-6

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Si4884DY

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1a)

11.5

P_D

Power Dissipation for Single Operation

2.5

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

Si4884DY Rev.A

12 3 4 5

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SI4884DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS8880	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench MOSFET

与SI4884DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4884DYD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4884DY-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4884DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4884DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4884DY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4886DY	VISHAY	获取价格	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4886DY-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4886DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4888DY	VISHAY	获取价格	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4888DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP

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