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Datasheet > SI4890BDY-T1-E3
SI4890BDY-T1-E3 PDF预览

SI4890BDY-T1-E3

更新时间： 2024-09-18 20:00:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 93K
描述
TRANSISTOR 16 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI4890BDY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5.7 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Silver (Ag)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4890BDY-T1-E3 数据手册

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Si4890BDY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
16  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
0.012 at VGS = 10 V  
0.016 at VGS = 4.5 V  
•
•
30  
10 nC  
14  
APPLICATIONS  
•
Notebook  
- System Power  
- Adapter Switch  
SO-8  
•
DC/DC  
D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4890BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4890BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
25  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
16  
12.9  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
10.7b, c  
8.6b, c  
60  
T
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
5.1  
2.2b, c  
20  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
A = 25 °C  
L = 0.1 mH  
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
W
20  
T
5.7  
3.6  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.5b, c  
1.6b, c  
T
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
40  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
50  
22  
°C/W  
18  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 90 °C/W.  
Document Number: 69502  
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4890DY VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4892DY VISHAY

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SI4892DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 8800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4892DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 8800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI4894BDY VISHAY

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 		N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
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