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SI4894DY-E3

更新时间： 2024-09-18 21:17:35

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	60K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4894DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4894DY-E3 数据手册

Si4894DY

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.012 @ V = 10 V

12.5

10.2

0.018 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4894DY

Si4894DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

12.5

8.5

6.8

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.7

3.0

1.9

1.3

1.4

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71162

S--31989—Rev. D, 13-Oct-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4894DY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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