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SI4894BDY-E3

更新时间： 2024-09-18 15:51:11

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	81K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4894BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI4894BDY-E3 数据手册

Si4894BDY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_gTested

0.011 @ V = 10 V

0.016 @ V = 4.5 V

9.8

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4894BDY—E3

Si4894BDY-T1—E3 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

8.9

7.1

Continuous Drain Current (T = 150__C)

9.5

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.3

2.5

1.6

1.3

1.4

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72993

S-41134—Rev. A, 07-Jun-04

www.vishay.com

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