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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4894BDY
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SI4894BDY

更新时间： 2024-09-18 06:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET

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SI4894BDY 数据手册

  
Specification Comparison  
Vishay Siliconix  
Si4894BDY vs. Si4894DY  
Description: N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET  
Package:  
Pin Out:  
SOIC-8  
Identical  
Part Number Replacements:  
Si4894BDY-T1 Replaces Si4894DY-T1  
Si4894BDY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free version) Replaces Si4894DY-T1—E3  
Summary of Performance:  
The Si4894BDY is the replacement for the original Si4894DY; both parts perform identically including limits to the parametric  
tables below.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Si4894BDY  
Si4894DY  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
30  
"20  
12  
30  
"20  
12.5  
10  
DS  
GS  
V
T
= 25_C  
= 70_C  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
D
T
A
9.5  
A
I
40  
20  
DM  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
I
S
2.3  
2.7  
T
= 25_C  
= 70_C  
2.5  
3.0  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.6  
1.9  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient  
T and T  
−55 to 150  
50  
−55 to 150  
42  
_C  
j
stg  
R
thJA  
_C/W  
SPECIFICATIONS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
J
Si4894BDY  
Si4894DY  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Static  
Gate-Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
V
1.0  
3.0  
"100  
1
0.8  
V
nA  
mA  
A
GS(th)  
I
"100  
GSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Current  
I
1
DSS  
V
V
= 10 V  
= 10 V  
= 4.5 V  
I
30  
30  
GS  
GS  
GS  
D(on)  
0.009  
0.013  
32  
0.011  
0.018  
0.010  
0.015  
30  
0.012  
0.018  
Drain-Source On-Resistance  
r
W
DS(on)  
V
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
g
fs  
S
V
V
0.76  
1.1  
0.7  
1.1  
SD  
Dynamic  
V
= 10 V  
25.4  
13.2  
5.3  
38  
20  
20  
11.5  
3.0  
30  
17  
GS  
Total Gate Charge  
Q
g
V
= 5 V  
GS  
nC  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Gate Resistance  
Q
Q
gs  
4.3  
4.5  
gd  
R
g
0.9  
1.8  
2.7  
1
2.4  
W
Switching  
t
t
13  
10  
33  
10  
25  
20  
15  
50  
15  
40  
10  
5
20  
10  
60  
20  
60  
d(on)  
Turn-On Time  
t
r
30  
10  
30  
ns  
d(off)  
Turn-Off Time  
t
f
Source-Drain Reverse Recovery Time  
t
rr  
NS denotes parameter not specified in original data sheet.  
www.vishay.com  
Document Number: 73277  
06-Jan-05  
1
1

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