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SI4884DYD84Z

更新时间： 2024-11-16 14:38:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 229K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SI4884DYD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：11.5 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4884DYD84Z 数据手册

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January 2001  
Si4884DY  
Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchâ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.010 W @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.015 W @ VGS = 4.5 V.  
Optimized for use in switching DC/DC converters with  
PWM controllers.  
The MOSFET features faster switching and lower gate  
charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON)  
specifications.  
Very fast switching.  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even  
at very high frequencies), and DC/DC power supply designs  
with higher overall efficiency.  
Low gate charge (typical Qg = 19 nC).  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
D
D
5
6
4
3
2
1
D
D
G
S
7
8
1
S
pin  
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Si4884DY  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
±20  
V
(Note 1a)  
(Note 1a)  
11.5  
50  
A
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
Si4884DY Rev.A  
© 2001 Fairchild Semiconductor International  
12345678

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