SI4888DY

更新时间： 2024-09-17 22:38:35

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

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SI4888DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	16 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI4888DY 数据手册

Si4888DY

Vishay Siliconix

N-Channel Reduced Q_g, Fast Switching MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.007 @ V = 10 V

0.010 @ V = 4.5 V

D D

SO-8

N-Channel MOSFET

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

"50

Continuous Source Current (Diode Conduction)

3.0

3.5

2.2

1.40

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71336

S-03662—Rev. D, 14-Apr-03

www.vishay.com

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SI4888DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI6913DQ-T1-E3	VISHAY	类似代替	Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R

与SI4888DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4888DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI4890BDY	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4890BDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 16 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4890DY	VISHAY	获取价格	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4892DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4892DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4892DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI4894BDY	VISHAY	获取价格	N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
SI4894BDY-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4894BDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET