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SI4884DY-T1

更新时间： 2024-09-18 14:44:43

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	52K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4884DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.86	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.95 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4884DY-T1 数据手册

Si4884DY

Vishay Siliconix

N-Channel Reduced Q_g, Fast Switching MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.0105 @ V = 10 V

0.0165 @ V = 4.5 V

D D

SO-8

N-Channel MOSFET

Top View

Ordering Information: Si4884DY

Si4884DY-T1 (with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.3

= 25_C

= 70_C

2.95

1.9

a, b

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)

thJA

thJF

_C/W

Steady State

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 10 sec.

Document Number: 70946

www.vishay.com

S-03950—Rev. C, 26-May-03

2-1

12 3 4 5

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