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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3 PDF预览

SI2309CDS-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 108K
描述
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI2309CDS-T1-GE3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：184098
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236)
Samacsys Released Date：2015-04-13 16:58:58Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A最大漏极电流 (ID)：1.6 A
最大漏源导通电阻：0.345 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2309CDS-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si2309CDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
•
0.345 at VGS = - 10 V  
0.450 at VGS = - 4.5 V  
- 1.6  
- 1.4  
- 60  
2.7 nC  
APPLICATIONS  
Load Switch  
•
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
3
2
D
S
G
Top View  
Si2309CDS (N9)*  
* Marking Code  
D
Ordering Information: Si2309CDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2309CDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 60  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 1.6  
- 1.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
- 1.2a, b  
- 1.0a, b  
- 8  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Single Pulse Avalanche Current  
- 5  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
- 1.4  
IS  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 0.9a, b  
1.7  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
1.1  
PD  
W
Maximum Power Dissipation  
1.0a, b  
T
0.67a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
92  
Maximum  
120  
Unit  
RthJA  
t ≤ 5 s  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
58  
73  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 166 °C/W.  
d. When TC = 25 °C.  
Document Number: 68980  
S-82584-Rev. A, 27-Oct-08  
www.vishay.com  
1
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SI2309CDS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2309DS-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI2309DS-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00125A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
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 		SOT-23　
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