生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 0.73 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.345 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.7 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI2309CDS-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2309CDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2309DS | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2309DS (KI2309DS) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
SI2309DS_08 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2309DS-T1 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2309DS-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2309DS-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00125A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
SI2310 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
SI2310 | HC |
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SOT-23 | |
SI2310 | HOTTECH |
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SOT-23 |