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SI2309A

更新时间： 2024-11-21 17:15:31

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	1772K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-1.25A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:340mΩ@-10V

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SI2309A 数据手册

UMW

UMW SI2309A

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate MOSFETS

■

Features

● VDS (V) =-60V

SOT-23-3

● I =-1.25 A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 340mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 550mΩ (VGS =-4.5V)

● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a

Pb−Free Lead Finish

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

MARKING

Equivalent Circuit

■

Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-60

Unit

VDS

Gate-Source Voltage

±20

-1.25

-0.85

-8

Continuous Drain Current *1,*2

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L=0.1mH

Ta = 25℃

Ta = 70℃

-5

1.25

0.8

Power Dissipation *1,*2

℃/W

℃

100

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t ≤5 sec

Steady State *1

thJA

thJC

166

Thermal Resistance.Junction- to-Case *1

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

*1 Surface Mounted on FR4 Board.

*2 t ≤ 5 sec.

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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