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SI2309　

更新时间： 2024-11-19 17:15:51

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SOT-23

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SI2309　数据手册

SHENZHEN HAOCHANG SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate MOSFETS

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2309

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

■ Features

● VDS (V) =-60V

● ID =-1.25 A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 340mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 550mΩ (VGS =-4.5V)

+0.02

-0.02

+0.1

0.15

0.95

-0.1

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-60

Unit

VDS

Gate-Source Voltage

±20

-1.25

-0.85

-8

Continuous Drain Current

*1,*2

Ta = 25℃

Ta = 70℃

TJ =150℃

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L=0.1mH

-5

1.25

0.8

Power Dissipation *1,*2

Ta = 25℃

Ta = 70℃

℃/W

℃

100

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t ≤5 sec

Steady State *1

thJA

thJC

166

Thermal Resistance.Junction- to-Case *1

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

*1 Surface Mounted on FR4 Board.

*2 t ≤ 5 sec.

浩畅半导体

RevK：M ay2014

www.szhaochang.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI2309CDS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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