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SI1416EDH-T1-GE3 PDF预览

SI1416EDH-T1-GE3

更新时间： 2024-09-11 20:08:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 267K
描述
TRANSISTOR 3900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI1416EDH-T1-GE3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.33配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.9 A
最大漏极电流 (ID)：3.9 A最大漏源导通电阻：0.058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.8 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1416EDH-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si1416EDH  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
3.9  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.058 at VGS = 10 V  
0.064 at VGS = 4.5 V  
0.077 at VGS = 2.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Typical ESD Protection 1500 V in HBM  
100 % Rg Tested  
30  
3.9  
3.5 nC  
3.9  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
Portable Devices such as Smart Phones and Tablet PCs  
•
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
- DC/DC Converters  
- High Frequency Switching  
- OVP Switch  
D
D
D
G
1
2
3
6
D
D
S
- Load Switch  
Marking Code  
G
5
4
AR XX  
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
Top View  
Ordering Information: Si1416EDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
T
C = 25 °C  
3.9a  
3.9a  
3.9a, b, c  
3.9a, b, c  
15  
2.3a  
1.3b, c  
2.8  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.8  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
1.56b, c  
1.0b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
Typical  
60  
Maximum  
Unit  
RthJA  
t ≤ 5 s  
80  
45  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
34  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes:  
a. Package limited, TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.  
Document Number: 67580  
S11-0611-Rev. A, 04-Apr-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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