是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SC-70 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 12 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.0027 A | 最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI1417EDH | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI1417EDH_08 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI1417EDH-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 2700 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General P | |
SI1417EDH-T1 | VISHAY |
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Transistor, | |
SI1419DH | VISHAY |
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P-Channel 200-V (D-S) MOSFET | |
SI1419DH_08 | VISHAY |
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P-Channel 200-V (D-S) MOSFET | |
SI1419DH-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 200-V (D-S) MOSFET | |
SI1419DH-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 300 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL | |
SI1422DH | VISHAY |
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N-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SI1422DH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R |