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SI1417DH

更新时间： 2024-09-11 21:19:15

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威世 - VISHAY		/
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6页	69K
描述
Transistor,

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SI1417DH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.89	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.56 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI1417DH 数据手册

Si1417DH

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS: 1.8-V Rated

D Thermally Enhanced SC-70 Package

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.085 @ V = –4.5 V

–3.3

–2.9

–2.4

D Load Switching

D PA Switch

–12

0.115 @ V = –2.5

0.160 @ V = –1.8

D Level Switch

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

BD XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–12

= 25_C

= 85_C

–2.7

–1.9

–3.3

–2.4

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

–8

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

–1.4

1.56

0.81

–0.9

1.0

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

0.52

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

100

125

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71879

S-20918—Rev. A, 01-Jul-02

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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