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PBSS4160DS,115

更新时间： 2024-10-01 15:47:31

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恩智浦 - NXP		/
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14页	194K
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PBSS4160DS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin

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PBSS4160DS,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	Base Number Matches：	1

PBSS4160DS,115 数据手册

PBSS4160DS

60 V, 1 A NPN/NPN low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 04 — 11 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN/NPN low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457

(SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP/PNP complement: PBSS5160DS.

1.2 Features

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability: I_Cand I_CM

High collector current gain (h_FE) at high I_C

High efficiency due to less heat generation

Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

Dual low power switches (e.g. motors, fans)

Automotive applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per transistor

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage

open base

[1]

[2]

collector current

I_CM

peak collector current

single pulse;

t_p≤ 1 ms

R_CEsat

collector-emitter saturation

resistance

I_C= 1 A;

I_B= 100 mA

200

250

mΩ

[1] Device mounted on a ceramic PCB, Al₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBSS4160DS/T1	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSO
PBSS4160DS/T2	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSO
PBSS4160DS-Q	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistorProduction
PBSS4160PAN	NXP	获取价格	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160PAN	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4160PAN_15	NXP	获取价格	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160PANP	NXP	获取价格	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160PANP	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4160PANP-Q	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS4160PANPS	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

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