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PBSS4160X

更新时间： 2023-09-03 20:37:19

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安世 - NEXPERIA		/
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12页	215K
描述
60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistorProduction

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PBSS4160X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PBSS4160X 数据手册

PBSS4160X

60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor

23 May 2017

Product data sheet

1. General description

NPN low V_CEsatBreakthrough in Smal Signal (BISS) transitor in a medium power SOT89 (SC-62)

flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

•

High collector current capability I_Cand I_CM

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

DC-to-DC conversion

Supply line switches

Battery charger

LCD backlighting

Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

I_CM

h_FE

peak collector current single pulse; t_p≤ 1 ms

DC current gain V_CE= 10 V; I_C= 500 mA; T_amb= 25 °C [1]

170

360

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02

12 3 4 5 6 7...12

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