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PBSS4230T

更新时间: 2024-01-16 18:03:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 50K
描述
NPN low VCEsat (BISS) transistor

PBSS4230T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.34Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):150
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.48 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):230 MHzBase Number Matches:1

PBSS4230T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PBSS4230T  
30 V, 2 A  
NPN low VCEsat (BISS) transistor  
Product specification  
2003 Sep 29  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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2SD2671TL ROHM

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