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PBSS4240T,215

更新时间: 2024-11-18 20:59:27
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
PBSS4240T - 40 V; 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin

PBSS4240T,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:7.84最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):150JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):230 MHz
Base Number Matches:1

PBSS4240T,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PBSS4240T  
40 V; 2 A NPN low VCEsat  
(BISS) transistor  
Product data sheet  
2004 Jan 09  
Supersedes data of 2001 Jul 13  

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