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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 210 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4220V,115 | NXP |
类似代替  |
PBSS4220V - 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4220V,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4220V - 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin |
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| PBSS4230PAN | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4230PAN | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4230PANP | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4230PANP | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4230PANP,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON |
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| PBSS4230QA | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4230QA | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4230QAZ | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 30V 2A 3DFN |
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| PBSS4230T | NXP |
获取价格 |
NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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