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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 210 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4230PAN | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4230PAN | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4230PANP | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4230PANP | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4230PANP,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON |
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| PBSS4230QA | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4230QA | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4230QAZ | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 30V 2A 3DFN |
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| PBSS4230T | NXP |
获取价格 |
NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4230T | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V; 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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