5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160T,215 | NXP |
功能相似  |
PBSS4160T - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
| FMMT491 | DIODES |
功能相似 |
Medium power NPN transistor in SOT23 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160T - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
| PBSS4160T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4160U | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4160U | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4160U,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160U - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SC-70 3-Pin |
|
| PBSS4160V | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4160V | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4160V,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160V - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin |
|
| PBSS4160X | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistorProduction |
|
| PBSS4220PANS | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat BISS double transistorProduction |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
