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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 3.36 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160T | NEXPERIA |
功能相似  |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| BZX84-B11 | NXP |
功能相似 |
Voltage regulator diodes |
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| PBSS4160T | NXP |
功能相似 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160U | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4160U | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160U,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160U - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SC-70 3-Pin |
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| PBSS4160V | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4160V | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4160V,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160V - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin |
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| PBSS4160X | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistorProduction |
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| PBSS4220PANS | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat BISS double transistorProduction |
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| PBSS4220V | NXP |
获取价格 |
20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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