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PBSS4160V,115

更新时间： 2024-02-13 23:08:32

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
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描述
PBSS4160V - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin

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PBSS4160V,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.43
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	220 MHz
Base Number Matches：	1

PBSS4160V,115 数据手册

PBSS4160V

60 V, 1 A NPN low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 03 — 11 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Low V_CEsat(BISS) NPN transistor in a SOT666 plastic package.

PNP complement: PBSS5160V.

1.2 Features

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High efficiency, reduces heat generation

Reduces printed-circuit board area required

Cost effective replacement for medium power transistor BCP55 and BCX55

1.3 Applications

Major application segments:

Automotive

Telecom infrastructure

Industrial

Power management:

DC-to-DC conversion

Supply line switching

Peripheral driver:

Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

collector-emitter voltage

collector current (DC)

peak collector current

equivalent on-resistance

open base

[1]

[2]

I_CM

t = 1 ms or limited by T_j(max)

I_C= 1 A; I_B= 100 mA

R_CEsat

200 250 mΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, 1 cm²collector

mounting pad.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...14

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PBSS4160V,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PBSS4160V	NXP	完全替代	60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160V	NEXPERIA	功能相似	60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

与PBSS4160V,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBSS4160X	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistorProduction
PBSS4220PANS	NEXPERIA	获取价格	20 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat BISS double transistorProduction
PBSS4220V	NXP	获取价格	20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4220V,115	NXP	获取价格	PBSS4220V - 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin
PBSS4230PAN	NXP	获取价格	30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4230PAN	NEXPERIA	获取价格	30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4230PANP	NXP	获取价格	30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4230PANP	NEXPERIA	获取价格	30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4230PANP,115	ETC	获取价格	TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
PBSS4230QA	NEXPERIA	获取价格	30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

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