是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SC-70 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.27 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 250 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.415 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 220 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PBSS4160U,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160U - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SC-70 3-Pin | |
PBSS4160V | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS4160V | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction | |
PBSS4160V,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160V - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin | |
PBSS4160X | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistorProduction | |
PBSS4220PANS | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat BISS double transistorProduction | |
PBSS4220V | NXP |
获取价格 |
20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS4220V,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4220V - 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin | |
PBSS4230PAN | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS4230PAN | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |