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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 170730 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SOT23 (TO-236AB) | Samacsys Released Date： | 2015-04-13 16:49:14 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160T,215 | NXP |
功能相似  |
PBSS4160T - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160T,215 | NXP |
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PBSS4160T - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS4160T-Q | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160U | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160U | NXP |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160U,115 | NXP |
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PBSS4160U - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SC-70 3-Pin |
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| PBSS4160V | NXP |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160V | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160V,115 | NXP |
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PBSS4160V - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin |
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| PBSS4160X | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistorProduction |
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| PBSS4220PANS | NEXPERIA |
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20 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat BISS double transistorProduction |
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