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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 1.57 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 175 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.24 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160PANS | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160QA | NXP |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160QA | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160QA-Q | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat transistorProduction |
|
| PBSS4160T | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4160T | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160T | FOSHAN |
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SOT-23 |
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| PBSS4160T,215 | NXP |
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PBSS4160T - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS4160T-Q | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160U | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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