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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.4 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 13 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 175 MHz | VCEsat-Max： | 0.55 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160PANPSX | ETC |
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TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON |
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| PBSS4160PANS | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160QA | NXP |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160QA | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160QA-Q | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4160T | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160T | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160T | FOSHAN |
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SOT-23 |
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| PBSS4160T,215 | NXP |
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PBSS4160T - 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS4160T-Q | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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