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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160DS/T2 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSO |
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| PBSS4160DS-Q | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4160PAN | NXP |
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60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160PAN | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160PAN_15 | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160PANP | NXP |
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60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160PANP | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160PANP-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4160PANPS | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160PANPSX | ETC |
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TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON |
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