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PBSS4160DPN/T1

更新时间： 2024-11-18 15:47:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
18页 258K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PBSS4160DPN/T1 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：250JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：220 MHz
Base Number Matches：1

PBSS4160DPN/T1 数据手册

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PBSS4160DPN  
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor  
Rev. 03 — 11 December 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457  
(SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features  
„ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat  
„ High collector current capability: IC and ICM  
„ High collector current gain (hFE) at high IC  
„ High efficiency due to less heat generation  
„ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors  
1.3 Applications  
„ Complementary MOSFET driver  
„ Half and full bridge motor drivers  
„ Dual low power switches (e.g. motors, fans)  
„ Automotive applications  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
TR1 (NPN)  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
VCEO  
IC  
collector-emitter voltage  
open base  
-
-
-
-
-
60  
1
V
[1]  
[2]  
collector current (DC)  
peak collector current  
-
A
ICM  
single pulse; tp ≤ 1 ms  
-
2
A
RCEsat  
collector-emitter saturation IC = 1 A; IB = 100 mA  
resistance  
200  
250  
mΩ  
TR2 (PNP)  
VCEO  
IC  
collector-emitter voltage  
collector current (DC)  
peak collector current  
open base  
-
-
-
-
-
−60  
V
[1]  
[2]  
-
−900 mA  
ICM  
single pulse; tp ≤ 1 ms  
-
−2  
A
RCEsat  
collector-emitter saturation IC = −1 A; IB = −100 mA  
250  
330  
mΩ  
resistance  
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2.  
[2] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBSS4160DPN/T2 NXP

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 		TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC
PBSS4160DS NXP

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 		60 V 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160DS NEXPERIA

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 		60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4160DS,115 NXP

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 		PBSS4160DS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin
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 		TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSO
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