5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTTFS4985NFTAG
NTTFS4985NFTAG PDF预览

NTTFS4985NFTAG

更新时间： 2024-11-20 12:04:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 126K
描述
Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, WDFN8

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTTFS4985NFTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：WDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：2.12
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：52 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：64 A
最大漏极电流 (ID)：16.3 A最大漏源导通电阻：0.0052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：22.73 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：192 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTTFS4985NFTAG 数据手册

 浏览型号NTTFS4985NFTAG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTTFS4985NFTAG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTTFS4985NFTAG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTTFS4985NFTAG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTTFS4985NFTAG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTTFS4985NFTAG的Datasheet PDF文件第7页 
NTTFS4985NF  
Power MOSFET  
30 V, 64 A, Single N−Channel, WDFN8  
Features  
• Integrated Schottky Diode  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
3.5 mW @ 10 V  
5.2 mW @ 4.5 V  
30 V  
64 A  
Applications  
• CPU Power Delivery  
• Synchronous Rectification for DC−DC Converters  
• Low Side Switching  
N−Channel MOSFET  
D
• Telecom Secondary Side Rectification  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
30  
20  
V
V
A
DSS  
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
22  
A
S
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
15.9  
2.69  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
MARKING DIAGRAM  
q
D
JA  
1
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
32.4  
23.4  
5.85  
4985  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
T = 85°C  
A
CASE 511AB  
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
D
D
D
R
Steady  
State  
q
JA  
4985  
A
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
16.3  
11.7  
1.47  
D
q
JA  
T = 85°C  
A
Y
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
WW  
G
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
64  
46  
D
(Note: Microdot may be in either location)  
q
JC  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
22.73  
W
ORDERING INFORMATION  
R
q
JC  
†
Device  
Package  
Shipping  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
192  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
−55 to  
+150  
°C  
NTTFS4985NFTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 / Tape &  
Reel  
J
T
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
32  
6.0  
52  
A
S
NTTFS4985NFTWG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
5000 / Tape &  
Reel  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
(T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
E
AS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
J
DD  
GS  
I = 32 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 2 oz Cu.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size of 90 mm .  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
January, 2012 − Rev. 1  
NTTFS4985NF/D  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

NTTFS4985NFTAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTTFS4985NFTWG ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel,
NTMFS4985NFT3G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel,
NTMFS4985NFT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel,

与NTTFS4985NFTAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTTFS4985NFTWG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel,
NTTFS4C02NTAG ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道功率 MOSFET 30V，170A，2.25mΩ
NTTFS4C05N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel,8
NTTFS4C05NTAG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel,8
NTTFS4C05NTWG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel,8
NTTFS4C06NTAG ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Power MOSFET 30V, 65A, 4.2mΩ
NTTFS4C06NTWG ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Power MOSFET 30V, 65A, 4.2mΩ
NTTFS4C08N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTTFS4C08NTAG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTTFS4C10N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET Dual N−Channel

与NTTFS4985NFTAG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证