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NTTFS4H07NTAG

更新时间： 2024-11-19 01:14:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Single N−Channel Power MOSFET

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NTTFS4H07NTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：9 weeks风险等级：2.26
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：66 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：33.8 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NTTFS4H07NTAG 数据手册

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NTTFS4H07N  
Power MOSFET  
25 V, 66 A, Single N−Channel, m8−FL  
Features  
• Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses  
• Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances  
• Optimized material for improved thermal performance  
www.onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
GS  
MAX R  
TYP Q  
GTOT  
Applications  
DS(on)  
• High Performance DC-DC Converters  
• System Voltage Rails  
• Netcom, Telecom  
4.5 V  
10 V  
7.1 mW  
4.8 mW  
5.7 nC  
12.4 nC  
• Servers & Point of Load  
PIN CONNECTIONS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
m8−FL (3.3 x 3.3 mm)  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Units  
V
DSS  
V
V
A
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
20  
Continuous Drain Current R  
(T = 25°C, Note 1)  
A
I
D
18.5  
q
JA  
JC  
(Top View)  
(Bottom View)  
Power Dissipation R  
P
D
2.64  
66  
W
A
q
JA  
(T = 25°C, Note 1)  
A
Continuous Drain Current R  
I
D
q
(T = 25°C, Note 1)  
C
N−CHANNEL MOSFET  
Power Dissipation R  
(T = 25°C, Note 1)  
C
P
D
33.8  
W
q
JC  
D (5−8)  
Pulsed Drain Current (t = 10 ms)  
I
216  
51  
A
p
DM  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche  
Energy (Note 1)  
E
mJ  
AS  
G (4)  
(I = 32 A , L = 0.1 mH) (Note 3)  
L
pk  
Drain to Source dV/dt  
dV/dt  
7
V/ns  
°C  
S (1,2,3)  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
150  
J(max)  
T
STG  
−55 to  
150  
°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 6 of this data sheet.  
Lead Temperature Soldering Reflow (SMD  
Styles Only), Pb-Free Versions (Note 2)  
T
SLD  
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
2
2
1. Values based on copper area of 645 mm (or 1 in ) of 2 oz copper thickness  
and FR4 PCB substrate.  
2. For more information, please refer to our Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
3. This is the absolute maximum rating. Parts are 100% UIS tested at T = 25°C,  
J
V
GS  
= 10 V, I = 21 A, E = 22 mJ.  
L AS  
THERMALCHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Max  
Units  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient (Note 1 and 4)  
Junction-to-Case (Note 1 and 4)  
°C/W  
R
47.3  
3.7  
q
JA  
JC  
R
q
4. Thermal Resistance R  
and R  
as defined in JESD51−3.  
JC  
q
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
July, 2015 − Rev. 3  
NTTFS4H07N/D  
 
1234567

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