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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTTFS5811NLTAG
NTTFS5811NLTAG PDF预览

NTTFS5811NLTAG

更新时间： 2024-11-18 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 248K
描述
Power MOSFET 40 V, 53 A, 6.4 mΩ

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NTTFS5811NLTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：WDFN8, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：2.1Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：65 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：33 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：211 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS5811NLTAG 数据手册

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NTTFS5811NL  
Power MOSFET  
40 V, 53 A, 6.4 mΩ  
Features  
• Low RDS(on)  
• Low Capacitance  
http://onsemi.com  
• Optimized Gate Charge  
• These Devices are Pb--Free and are RoHS Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
6.4 mΩ @ 10 V  
10 mΩ @ 4.5 V  
40 V  
53 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain--to--Source Voltage  
Symbol Value Unit  
N--Channel MOSFET  
V
40  
±20  
17  
V
V
A
DSS  
D (5--8)  
Gate--to--Source Voltage  
Continuous Drain  
V
GS  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
Current R  
(Note 1)  
θ
JA  
T
A
10  
G (4)  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T
A
P
2.7  
1.1  
53  
W
A
θ
D
D
JA  
T
A
= 100°C  
Steady  
State  
S (1,2,3)  
Continuous Drain  
T
C
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
Current R  
(Note 1)  
θ
JC  
T
C
33  
MARKING DIAGRAM  
1
Power Dissipation  
(Note 1)  
T
C
P
33  
W
1
S
S
S
G
D
D
D
D
R
θ
JC  
T
C
= 100°C  
13  
5811  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
Pulsed Drain Current  
t
= 10 ms  
I
211  
A
p
DM  
CASE 511AB  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
-- 5 5 t o  
+150  
°C  
J
T
5811  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb--Free Package  
Source Current (Body Diode)  
I
53  
65  
A
mJ  
A
S
Single Pulse Drain--to--Source  
Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AS  
AS  
I
36  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTTFS5811NLTAG  
WDFN8  
1500 /  
(Pb--Free) Tape & Reel  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
NTTFS5811NLTWG  
WDFN8 5000 /  
(Pb--Free) Tape & Reel  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction--to--Case – Steady  
State (Note 1)  
R
θ
3.8  
°C/W  
JC  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction--to--Ambient – Steady  
State (Note 1)  
R
θ
47  
JA  
1. Surface--mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
May, 2010 -- Rev. 1  
NTTFS5811NL/D  
123456

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