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NTTFS5C460NLTAG PDF预览

NTTFS5C460NLTAG

更新时间： 2024-11-22 11:15:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 220K
描述
单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，74A，4.8mΩ

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NTTFS5C460NLTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：104 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：74 A最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.0076 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：321 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS5C460NLTAG 数据手册

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NTTFS5C460NL  
MOSFET – Power, Single,  
N-Channel  
40 V, 4.8 mW, 74 A  
Features  
www.onsemi.com  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
4.8 mW @ 10 V  
7.6 mW @ 4.5 V  
40 V  
74 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
D (5 − 8)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
74  
A
C
D
q
JC  
T
C
42  
(Notes 1, 2, 3, 4)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
P
50  
W
A
D
G (4)  
R
(Notes 1, 2, 3)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
16  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
19  
S (1, 2, 3)  
q
JA  
T = 100°C  
A
13  
(Notes 1, 3, 4)  
Steady  
State  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.1  
1.6  
321  
W
D
1
R
(Notes 1, 3)  
q
JA  
T = 100°C  
A
1
S
S
S
G
D
D
D
D
60NL  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
42  
A
S
60NL  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
104  
mJ  
Energy (I  
= 4.6 A)  
L(pk)  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
°C  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
3.0  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
°C/W  
q
JC  
R
47.7  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2019  
1
Publication Order Number:  
June, 2019 − Rev. 0  
NTTFS5C460NL/D  
 
1234567

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与NTTFS5C460NLTAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTTFS5C466NLTAG ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，51 A，7.3mΩ
NTTFS5C471NLTAG ONSEMI

获取价格

 		Short Description
NTTFS5C478NLTAG ONSEMI

获取价格

 		Short Description
NTTFS5C658NLTAG ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，60V，N 沟道，109A，5mΩ，单 u8FL
NTTFS5C670NL ONSEMI

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 		Power MOSFET
NTTFS5C670NLTAG ONSEMI

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NTTFS5C673NL ONSEMI

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 		Power MOSFET
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