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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTTS2P02R2
NTTS2P02R2 PDF预览

NTTS2P02R2

更新时间： 2024-11-21 03:34:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts Single P-Channel Micro8

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NTTS2P02R2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：MINIATURE, CASE 846A-02, MICRO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A最大漏极电流 (ID)：2.4 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-G8JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTS2P02R2 数据手册

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NTTS2P02R2  
Power MOSFET  
-2.4 Amps, -20 Volts  
Single P–Channel Micro8t  
Features  
• Ultra Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Logic Level Gate Drive  
• Miniature Micro–8 Surface Mount Package  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
• Micro8 Mounting Information Provided  
–2.4 AMPERES  
–20 VOLTS  
R
= 90 mW  
DS(on)  
Applications  
• Power Management in Portable and Battery–Powered Products, i.e.:  
Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards  
Single P–Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain–to–Source Voltage  
V
–20  
V
V
DSS  
Gate–to–Source Voltage – Continuous  
V
±8.0  
GS  
G
Thermal Resistance –  
Junction–to–Ambient (Note 1.)  
R
P
D
I
I
160  
0.78  
–2.4  
–1.92  
–20  
°C/W  
W
A
A
A
θJA  
S
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
A
D
D
Continuous Drain Current @ T = 70°C  
A
MARKING  
Pulsed Drain Current (Note 3.)  
I
DM  
DIAGRAM  
Thermal Resistance –  
Junction–to–Ambient (Note 2.)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ T = 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 3.)  
8
R
P
D
I
I
88  
1.42  
–3.25  
–2.6  
–30  
°C/W  
W
A
A
A
θJA  
A
1
A
A
D
D
YWW  
AD  
Micro8  
CASE 846A  
STYLE 1  
I
DM  
T , T  
Operating and Storage  
Temperature Range  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
350  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
Y
= Year  
J
(V  
= –20 Vdc, V  
= –4.5 Vdc,  
WW  
AD  
= Work Week  
= Device Code  
DD  
GS  
Peak I = –5.0 Apk, L = 28 mH,  
L
R
= 25 Ω)  
G
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes for 10 seconds  
T
L
260  
°C  
PIN ASSIGNMENT  
1. Minimum FR–4 or G–10 PCB, Steady State.  
2. Mounted onto a 2″ square FR–4 Board (1″ sq. 2 oz Cu 0.06″ thick single  
sided), Steady State.  
Source  
1
8
7
Drain  
Drain  
Drain  
Drain  
2
Source  
Source  
Gate  
3
4
6
5
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%.  
Top View  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
4000/Tape & Reel  
NTTS2P02R2  
Micro8  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
December, 2000 – Rev. 4  
NTTS2P02R2/D  
12345678

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NTTS2P02R2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6375 ONSEMI

功能相似

 P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-8A，24m
FDS9435A ONSEMI

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 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-5.3A，50mΩ
FDS4435BZ ONSEMI

功能相似

 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ

与NTTS2P02R2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTTS2P02R2/D ETC

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 		Power MOSFET -2.4 Amps， -20 Volts
NTTS2P02R2_06 ONSEMI

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 		Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts
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 		Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts
NTTS2P03R2 ONSEMI

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 		Power MOSFET -2.48 Amps, -30 Volts P−Channel Enhancement Mode Single Micro8 Package
NTTS2P03R2/D ETC

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NTTYS009N08HLTWG ONSEMI

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 		MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 9 mΩ
NTU-1200 MEANWELL

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 		1200W High Reliable True Sine Wave with UPS DC-AC Power Inverter
NTU-1200-112GFCI MEANWELL

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