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FDS4435BZ PDF预览

FDS4435BZ

更新时间： 2023-09-03 20:29:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 392K
描述
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ

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FDS4435BZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.15
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：345 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4435BZ 数据手册

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FDS4435BZ  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
-30 V, -8.8 A, 20 mW  
Description  
www.onsemi.com  
This P−Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor’s  
advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored  
to minimize the on−state resistance.  
This device is well suited for Power Management and load  
switching applications common in Notebook Computers and Portable  
Battery Packs.  
D
D
D
D
G
S
S
S
Pin 1  
SOIC8  
CASE 751EB  
Features  
• Max R  
• Max R  
• Extended V  
= 20 mW at V = −10 V, I = −8.8 A  
GS D  
DS(on)  
= 35 mW at V = −4.5 V, I = −6.7 A  
DS(on)  
GS  
D
ELECTRICAL CONNECTION  
Range (−25 V) for Battery Applications  
GSS  
• HBM ESD Protection Level of 3.8 kV Typical (Note 3)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• High Power and Current Handling Capability  
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
DS(on)  
• This Device is Pb−Free and RoHS Compliant  
Specifications  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Ratings  
−30  
Unit  
V
V
DS  
MARKING DIAGRAM  
V
GS  
25  
V
I
D
A
FDS4435BZ  
ALYW  
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
−8.8  
−50  
A
− Pulsed  
P
W
Power Dissipation T = 25°C (Note 1a)  
2.5  
1.0  
24  
D
A
Power Dissipation T = 25°C (Note 1b)  
A
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 4)  
mJ  
FDS4435BZ = Specific Device Code  
A
= Assembly Site  
L
YW  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
T , T  
Operating and Storage Junction Tem-  
perature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
FDS4435BZ  
Package  
Shipping  
†
SOIC8  
2,500 /  
THERMAL CHARACTERISTICS  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
25  
Unit  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
q
JC  
R
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient (Note 1a)  
50  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2019 − Rev. 4  
FDS4435BZ/D  
1234567

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FDS4435BZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6675 ONSEMI

类似代替

 单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，14m
FDS6675BZ ONSEMI

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FDS6375 ONSEMI

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 P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-8A，24m

与FDS4435BZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4435BZ_07 FAIRCHILD

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FDS4435BZ_F085 FAIRCHILD

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