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FDS4470D84Z

更新时间： 2024-11-13 14:37:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 261K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS4470D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：12.5 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS4470D84Z 数据手册

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October 2001  
FDS4470  
40V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
·
·
12.5 A, 40 V. RDS(ON) = 9 mW @ VGS = 10 V  
Low gate charge (45 nC)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
High power and current handling capability  
·
DC/DC converter  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
40  
+30/–20  
12.5  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
50  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.4  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4470  
FDS4470  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS4470 Rev C (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS4470D84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4470F011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDS4470L86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDS4480 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，10.8A，12mΩ
FDS4480 FAIRCHILD

获取价格

 		40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4480_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDS4488 FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4501H FAIRCHILD

获取价格

 		Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
FDS4501H ONSEMI

获取价格

 		互补 PowerTrench® 半桥 MOSFET
FDS4501HD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS4501HF011 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,

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