5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDS4470L86Z
FDS4470L86Z PDF预览

FDS4470L86Z

更新时间： 2023-03-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 261K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDS4470L86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4470L86Z 数据手册

 浏览型号FDS4470L86Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4470L86Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS4470L86Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS4470L86Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS4470L86Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS4470L86Z的Datasheet PDF文件第7页 
October 2001  
FDS4470  
40V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
·
·
12.5 A, 40 V. RDS(ON) = 9 mW @ VGS = 10 V  
Low gate charge (45 nC)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
High power and current handling capability  
·
DC/DC converter  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
40  
+30/–20  
12.5  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
50  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.4  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4470  
FDS4470  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS4470 Rev C (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

中文翻译

下载PDF

与FDS4470L86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4480 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，10.8A，12mΩ
FDS4480 FAIRCHILD

获取价格

 		40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4480_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDS4488 FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4501H FAIRCHILD

获取价格

 		Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
FDS4501H ONSEMI

获取价格

 		互补 PowerTrench® 半桥 MOSFET
FDS4501HD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS4501HF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS4501HL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS4559 FAIRCHILD

获取价格

 		60V Complementary PowerTrench MOSFET

与FDS4470L86Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证