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FDS4480_NL

更新时间： 2024-02-03 08:28:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 84K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS4480_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.35雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.8 A最大漏极电流 (ID)：10.8 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS4480_NL 数据手册

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February 2002  
FDS4480  
40V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
·
·
10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 12 mW @ VGS = 10 V  
Low gate charge (29 nC)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
High power and current handling capability  
·
DC/DC converter  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
40  
+30/–20  
10.8  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
45  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
PD  
W
1.4  
(Note 1c)  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4480  
FDS4480  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS4480 Rev D (W)  
Ó2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDS4480_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4480 ONSEMI

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 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，10.8A，12mΩ
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