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FDS4672A_NL

更新时间： 2024-11-14 06:23:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	439K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS4672A_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FDS4672A_NL 数据手册

February 2007

FDS4672A

40V N-Channel PowerTrench^®MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers. It has been optimized for

low gate charge, low R_DS(ON)and fast switching speed.

• 11 A, 40 V.

R_DS(ON)= 13 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Low gate charge (35 nC typical)

• High power and current handling capability

• RoHS Compliant

Applications

• DC/DC converter

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±12

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

Single Pulse Avalanche Energy

Power Dissipation for Single Operation

(Note 3)

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

181

E_AS

P_D

2.5

1.4

1.2

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +175

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS4672A

13’’

12mm

2500 units

FDS4672A Rev C1 (W)

12 3 4 5 6

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FDS4672A_NL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS4672A	ONSEMI	功能相似	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，11A，13mΩ
FDS4672A	FAIRCHILD	功能相似	40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4780	FAIRCHILD	功能相似	40V N-Channel PowerTrench MOSFET

与FDS4672A_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4672AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS4672AF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS4672A-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS4672AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS4675	FAIRCHILD	获取价格	40V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4675	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，-11A，13mΩ
FDS4675_10	FAIRCHILD	获取价格	40V P-Channel Power TrenchMOSFET
FDS4675_F085	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
FDS4675_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDS4675D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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