生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.013 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS4685 | ONSEMI |
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40V,P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-8.2A,27mΩ | |
FDS4685 | FAIRCHILD |
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40V P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS4685-NF074 | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDS4685-NF074 | ONSEMI |
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40V,P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-8.2A,27mΩ | |
FDS4770 | FAIRCHILD |
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40V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS4770_04 | FAIRCHILD |
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40V N-Channel PowerTrench?MOSFET | |
FDS4770_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDS4780 | FAIRCHILD |
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40V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS4885C | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS4895C | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |